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半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

    一种器件包括：半导体区；界面层，位于半导体区上方，该界面层包括半导体氧化物；高k介电层，位于界面层上方；混合层，位于高k介电层上方。混合层包括氧、高k介电层中的金属、以及另外的金属。功函层位于混合层上方。填充金属区位于功函层上方。本申请的实施例还提供半导体器件及其制造方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750818 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011118370.7 H01L 21/8234 (2006.01)

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