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碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统.pdf

    本发明涉及碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法以及其生长系统。碳化硅晶锭的制备方法，其特征在于，包括：准备步骤，准备包括具有内部空间的坩埚本体的坩埚组件，原料装入步骤，将原料装入所述坩埚组件中，而将碳化硅晶种放置在距所述原料间隔规定距离的位置，及生长步骤，通过将所述坩埚组件的内部空间调整为晶体生长气氛，以蒸气的方式传输所述原料，使其沉积在所述碳化硅晶种，从而制备从所述碳化硅晶种生长的碳化硅晶锭，所述坩埚本体的密度的范围为1.70至1.92g/cm3。可以通过控制坩埚的特性来控制在晶锭生长过程中由蒸气

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112746314 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20201

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