1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法.pdfVIP

  • 8
  • 0
  • 约1.82万字
  • 约 14页
  • 2023-06-05 发布于四川
  • 举报

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法.pdf

    本发明涉及碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法。晶片是具有基于(0001)面呈从0度到15度中选择的角度的偏角的晶片，测量点是将所述晶片的表面以10mm以下的一定间隔划分的多个地点，目标区域是共享所述晶片的中心并且半径为所述晶片半径的70％圆的内部区域，所述测量点位于所述目标区域，所述测量点的摇摆曲线具有峰和半峰宽，ω角的平均值是目标区域中测量点的峰具有的ω角的平均值，所述半峰宽是基于所述ω角的平均值的值，所述目标区域包括95％以上的测量点，其半峰宽为‑1.5到1.5度。可以精确地控制晶体生长的温

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112746324 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20201

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >