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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

    本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(highelectronmobilitytransistor,HEMT)的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一硬掩模于该阻障层上，去除该硬掩模以形成一凹槽暴露出该阻障层，去除该凹槽旁的该硬掩模以形成一第二凹槽，再形成一P型半导体层于该第一凹槽以及该第二凹槽内。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750700 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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