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制作半导体器件的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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制作半导体器件的方法.pdf

    本发明涉及制作半导体器件的方法。制造过程利用在CMOS形成期间使用的过程步骤来在用于该CMOS形成的相同衬底上形成一种或多种附加类型的器件，并且至少部分地与该CMOS形成过程并行。可使用第一掩模在衬底中的第一深度处形成注入阱的第一层，并且然后可使用第二掩模在更浅的第二深度处形成注入阱的第二层。作为CMOS平台的部分的CMOS器件可使用该阱中的一些阱来形成，而外围器件可使用剩余的阱来形成。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112713089 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 202011157360.4 H01L 27/092 (2006.01) (22)申请日

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