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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明提供一种半导体装置与其制造方法,其中,所述半导体装置包括一基板,基板具有一腔室。半导体装置也包括一第一介电层,第一介电层设置于基板上。半导体装置更包括一对热电耦,此对热电耦设置于第一介电层上。半导体装置包括一第二介电层,第二介电层设置于第一介电层上与热电耦之间。半导体装置也包括一接收体,接收体连接于热电耦。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750939 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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