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- 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置具备:半导体芯片(12),在SiC基板中形成有元件,在一面及背面分别形成有主电极;配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24);接线部(20),介于第2散热片与半导体芯片之间,将背面侧的主电极和第2散热片电中继;以及接合部件(18、22、26),分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d),至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112753101 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 201980063390.8 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司
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