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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及在芯轴上具有包括二维材料的沟道区的场效应晶体管，其揭示场效应晶体管的结构以及形成场效应晶体管的结构的方法。栅极电极具有包覆由介电材料组成的芯轴的第一侧表面及第二侧表面的部分。沟道层具有部分位于该芯轴的该第一侧表面与该栅极电极的该部分之间的沟道区。该沟道层由二维材料组成。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750908 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011060512.9
(22)申请日 2020.09.30
(30)优先权数据
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