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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开提供一种半导体装置。半导体装置包括半导体鳍状物、多个半导体纳米结构、栅极结构、介电鳍状物、介电结构及介电层。半导体鳍状物自半导体基板垂直凸起。多个半导体纳米结构直接位于半导体鳍状物上。栅极位于半导体鳍状物上并围绕半导体纳米结构。介电鳍状物位于基板上。介电结构位于介电鳍状物上。介电结构的上表面高于栅极的上表面。介电层位于基板上。介电鳍状物横向分开栅极与介电层，并横向分开半导体纳米结构与介电层。介电层的上表面高于栅极结构的上表面与介电结构的上表面。介电层的下表面低于介电鳍状物的上表面。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750821 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011187508.9
(22)申请日 2020.10.30
(30)优先权数据
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