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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成在衬底上方突出的鳍；在鳍的相反侧形成隔离区域；在鳍上方形成虚设栅极；减小虚设栅极的靠近隔离区域的下部的厚度，其中，在减小该厚度之后，虚设栅极的下部的相反侧壁之间的距离随着虚设栅极向隔离区域延伸而减小；在减小该厚度之后，至少沿着虚设栅极的下部的相反侧壁形成栅极填充材料；沿着虚设栅极的侧壁并沿着栅极填充材料的侧壁形成栅极间隔件；以及用金属栅极替换虚设栅极。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750770 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011171719.3
(22)申请日 2020.10.28
(30)优先权数据
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