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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750900 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011067688.7 H01L 21/331 (2006.01)
(22)申请日
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