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2023-06-05 发布于四川
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一种具有异质栅介质的纳米片晶体管及制备方法.pdf

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本发明公开了一种具有异质栅介质的纳米片晶体管及制备方法；该纳米片晶体管包括：衬底、源区、漏区、栅极材料以及多个纳米片沟道层；其中，栅极材料包覆纳米片沟道层形成围栅结构；源区、围栅结构以及漏区沿沟道方向依次设置于衬底之上；沟道方向为从源区指向漏区的方向；栅极材料与纳米片沟道层的相邻面之间、与衬底的相邻面之间均设置有异质栅介质层；异质栅介质层包括沿沟道方向连续设置的多种栅介质材料，多种栅介质材料的相对介电常数随沟道方向逐渐降低；源区通过第一隔离介质与栅区实现隔离；漏区通过第一隔离介质与栅区实现隔离。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736141 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011502515.3 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日

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