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本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法，该方法包括:在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在第一导电类型的外延层的表层形成第二导电类型的掺杂区；在第一导电类型的外延层之中形成沟槽；生长第一氧化层；去除沟槽之外的第一氧化层，并去除沟槽之中的一部分第一氧化层；生长第二氧化层，第二氧化层覆盖于沟槽的侧壁和第二导电类型的扩散区的上方；在沟槽的侧壁注入掺杂形成第一导电类型的掺杂区；淀积多晶硅并去除沟槽之外的多晶硅，保留沟槽之中的多晶硅；在第二导电类型的扩散区的表层之中注入掺杂然后退火形成第一导电类型的扩散
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112735954 B
(45)授权公告日 2021.12.14
(21)申请号 202011608658.2 H01L 29/786 (2006.01)
(22)申请日
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