基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法.pdfVIP

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2023-06-05 发布于四川
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基于质子辐照处理的金刚石基InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于金刚石衬底的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，主要解决现有同类器件界面结合强度差、界面热阻高、工艺流程复杂的问题。其自下而上包括：金刚石衬底(1)、GaN沟道层(2)和InAlN势垒层(3)，InAlN势垒层(3)上同时设有源极(4)、漏极(5)和栅极(6)，该衬底采用晶面取向为(111)晶向的金刚石，以提高器件的散热能力；该GaN沟道层的厚度为20‑30nm；该InAlN势垒层的Al组分为80％‑85％，厚度为10‑15nm。本发明增强了器件的散热能力，降低了

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112736135 B (45)授权公告日 2022.04.19 (21)申请号 202110028079.9 H01L 29/778 (2006.01)