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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开了一种沟槽栅IGBT器件及其制作方法，所述方法包括以下步骤：在衬底上表面形成阻挡层；通过图形化阻挡层显露部分衬底的上表面，在显露的部分衬底的上表面刻蚀形成沟槽；形成第一栅氧层；填充第一掺杂的第一多晶硅层，以填满沟槽；刻蚀第一多晶硅层直至保留所述沟槽底部的第一多晶硅层，第一多晶硅层形成第一栅极；移除阻挡层；形成预设第一厚度的氧化层；磨去部分氧化层直至保留预设第二厚度的氧化层，再刻蚀预设第二厚度的氧化层直至保留预设第三厚度的氧化层；形成第二栅氧层；填充第二掺杂的第二多晶硅层，以填满沟槽；刻
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750695 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011450568.5
(22)申请日 2020.12.09
(71)申请人 株洲
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