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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明提供一种半导体器件的形成方法,包括:提供衬底,衬底上形成有鳍部,鳍部包括密集区和稀疏区;在衬底上形成横跨鳍部的栅极结构和源漏掺杂层,源漏掺杂层位于栅极结构两侧的鳍部内;在衬底、源漏掺杂层以及栅极结构的表面上形成介质层,介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面;刻蚀介质层,在介质层内形成暴露源漏掺杂层顶部的接触孔;在接触孔内形成导电结构;在介质层以及导电结构上形成掩膜层,掩膜层的开口暴露出稀疏区之间栅极结构顶部的部分介质层和部分导电结构的顶部表面;刻蚀去除暴露出的介质层、位于所述介质层底部的栅
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750702 A
(43)申请公布日
2021.05.04
(21)申请号 20191
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