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2023-06-05 发布于四川
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一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法.pdf

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本发明公开了一种用于检测直拉单晶生长过程中熔硅液面距离的装置及方法，该装置包括石英销和热屏，所述石英销包括水平部分和主体部分，水平部分设置于主体部分上方，并互相垂直，构成“T”字型，主体部分的外立面上设置有反光材料；所述热屏包括导流筒，导流筒底部开设有台阶式通孔，台阶式通孔由第一通孔和第二通孔组成，所述石英销的主体部分穿过第二通孔，并伸出于导流筒底部之下，石英销的水平部分置于第一通孔之中；石英销的主体部分垂直向下伸出导流筒的下沿以作为测量距离的标尺。本发明采用倒影法，由于直拉单晶炉内热屏内边缘在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112725884 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011515946.3 C30B 29/06 (2006.01) (22)申请日 2

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