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半导体工艺方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体工艺方法.pdf

    本发明涉及一种半导体工艺方法；包括如下步骤：调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力，预设压力等于传片压力或低于传片压力且大于对工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出。上述半导体工艺方法通过调节工艺腔室内的腔室压力以使得工艺结束时腔室压力调节等于或略低于传片压力，可以显著降低工艺时间及传片自动控压时间，从而有效提高设备产能，降低产品成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750715 B (45)授权公告日 2022.04.08 (21)申请号 201911036246.3 (56)对比文件

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