一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记.pdfVIP

一种半导体套刻精度的控制方法及叠层标记.pdf

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本发明公开了一种半导体套刻精度的控制方法，该方法包括根据所述主套刻叠层标记获取主量测值；根据所述辅助套刻叠层标记获取辅助量测值；基于所述主量测值和所述辅助量测值进行套刻补偿。另外，还公开了一种半导体套刻叠层标记。采用本发明提高了半导体套刻的精度。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112731778 B (45)授权公告日 2022.08.02 (21)申请号 201911032221.6 (56)对比文件 (22)申请日 2019.10.28

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