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半导体器件及制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件及制造方法.pdf

    本公开涉及半导体器件及制造方法。提供了利用底部抗反射层的处理工艺的半导体器件和方法。该处理工艺可以是物理处理工艺，其中添加材料以填充底部抗反射层的材料内的洞和孔，或者处理工艺可以是化学处理工艺，其中使用化学反应来形成保护层。通过处理底部抗反射层，减少或消除了随后施加的化学物质的扩散，从而有助于防止由这种扩散引起的缺陷。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750779 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011162185.8 (22)申请日 2020.10.27 (30)优先权数据 62/927,46

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