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- 2023-06-05 发布于四川
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公开了一种半导体装置。半导体装置包括:接地垫,位于基底上;下电极,位于接地垫上,下电极电连接到接地垫;介电层,位于下电极上,介电层沿下电极的轮廓延伸;上电极,位于介电层上;以及上板电极,位于上电极上并在其中包括第一氟(F),其中,上板电极包括面对上电极的界面,并且其中,上板电极包括第一氟的浓度随着距上板电极的所述界面的距离增大而减小的部分。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750833 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011169193.5
(22)申请日 2020.10.28
(30)优先权数据
10-2019-0
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