半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体激光器、半导体激光器阵列以及半导体激光器的制造方法.pdf

本发明提供集成有监视光输出的光电二极管部的半导体激光器。半导体激光器(100)具备:DFB部,其层叠有背面侧第一包覆层(3)、第一衍射光栅层(9)、由第一MQW结构构成并发出激光的发光层(1)、表面侧第一包覆层(6)、以及第一接触层(12);DBR部,其层叠有电阻率比背面侧第一包覆层(3)高的背面侧第二包覆层(4)、将激光的一部分向DFB部反射的第二衍射光栅层(10)、对激光的剩余部分进行导波并且由有效带隙能量比第一MQW结构小的第二MQW结构构成的第一芯层(2a)、以及电阻率比表面侧第一包覆层

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112714986 A (43)申请公布日 2021.04.27 (21)申请号 201880097717.9 (51)Int.Cl.

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