半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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本公开涉及半导体器件和方法。一种方法,包括:在从半导体衬底突出的鳍之上形成栅极结构;形成围绕鳍的隔离区域;在栅极结构之上和鳍之上沉积间隔件层,其中,间隔件层填充在成对的相邻鳍之间延伸的区域;对间隔件层执行第一蚀刻,其中,在执行第一蚀刻之后,间隔件层的在成对的相邻鳍之间延伸的内部区域内的第一剩余部分具有第一厚度,并且间隔件层的不在内部区域内的第二剩余部分具有小于第一厚度的第二厚度;以及形成与栅极结构相邻并且在鳍之上延伸的外延源极/漏极区域,其中,外延源极/漏极区域的在内部区域内的部分与间隔件层的第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750827 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011178973.6 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据 62/927,86

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