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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开了一种镀银键合铜丝的制造方法,涉及半导体集成电路芯片封装领域,针对镀银键合铜丝在传统的制作过程中,铜丝容易氧化,影响导电性能的问题,现提出如下方案,包括以下步骤:步骤一、原料处理:借助砂纸手动去除铜丝外部的氧化薄膜,然后冷水冲洗,烘干;步骤二、将步骤一中的铜丝拔至成0.8‑1.5mm的铜丝,将所述铜丝放置退火炉中,退火30‑40min,然后取出,放置到充满保护气体的冷却箱中冷却。本发明将镀银保护层分两次完成,并在期间穿插镀锌,不仅可以减少镀银保护层与铜丝之间以及镀银保护层内部气泡,减少
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750708 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011560928.7
(22)申请日 2020.12.25
(71)申请人 天长市新润铜业有限公司
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