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一种高性能硅基锗探测器及其制备方法.pdfVIP

一种高性能硅基锗探测器及其制备方法.pdf

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    本发明涉及一种高性能硅基锗探测器及其制备方法，由下至上包括作为探测器制作初始材料包括硅材料(1)、SiO2层(2)和锗层(3)的衬底、作为肖特基接触的金属电极(4)和覆盖于锗层(3)和金属电极(4)上的石墨烯薄膜(5)。本发明通过光子晶体结构设计，使～200nm的超薄锗层结构在1310nm入射光处实现了超高吸收，量子效率不受限于吸收层的厚度；制作工艺无需掺杂，大大简化了工艺成本及制造成本，具有良好的市场应用前景。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736158 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011552811.4 (22)申请日 2020.12.24 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术

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