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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有介质层；形成多个贯穿所述介质层的接触孔，形成覆盖所述接触孔侧壁的第一隔离层，形成填充所述接触孔且覆盖所述介质层表面的节点接触层；图形化所述节点接触层和所述第一隔离层，形成与所述接触孔连通的刻蚀槽，所述刻蚀槽的底面位于所述刻蚀孔的顶面之下；形成覆盖所述刻蚀槽侧壁、并暴露所述介质层的第二隔离层；沿所述刻蚀槽去除所述介质层，形成与所述刻蚀槽连通的空隙；形成封闭所述刻蚀槽的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750783 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 20191

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