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微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法.pdf

    本发明公开了一种微发光二极管、微发光二极管阵列基板及其制作方法。微发光二极管包括堆叠结构，具有相对的第一表面、第二表面以及连接所述第一表面和所述第二表面的侧面；第一电极和第二电极，位于所述堆叠结构的所述第二表面，其中，所述堆叠结构在所述第二表面具有凹陷至所述第一掺杂类型半导体层的沟槽，所述沟槽位于所述第一电极与所述第二电极之间，并且至少部分呈曲线状延伸。根据本发明实施例的微发光二极管，第一电极和第二电极能够在同一工艺中同时形成，提高制作效率。当微发光二极管在后续焊接工艺中第一电极处和/或第二电极

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112750931 B (45)授权公告日 2022.06.28 (21)申请号 201911054781.1 H01L 33/20 (2010.01)

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