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薄膜晶体管(101)具有栅极(2)；半导体层(4)，在栅极上隔着栅极绝缘层(3)配置；源极(8s)，在半导体层(4)的一部分上隔着第一接触层(Cs)配置；漏极(8d)，在另一部分上隔着第二接触层(Cd)配置,第一和第二接触层具有包含第一非晶硅层和N个(N为1以上的整数)双层结构S(n)(n为1以上且N以下的整数)的层叠结构，所述第一非晶硅层与所述源电极或所述漏电极直接接触,所述N个双层结构S(n)分别由第二非晶硅层72(n)、与第二非晶硅层72(n)的上表面直接接触的第三非晶硅层73(n)构成,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112740420 A
(43)申请公布日 2021.04.30
(21)申请号 201880096405.6 (51)Int.Cl.
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