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- 2023-06-05 发布于四川
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本申请公开了一种碳化硅晶体生长余料处理再利用方法。使用碳化硅晶体生长余料作为主要的原材料，因此可以有效的降低成本。过程中通过碳化硅余料的破碎筛分等处理，得到适用于原料合成的粉末余料，然后使用稀硫酸清洗减少杂质，通过将余料氧化计算其中的残留碳单质含量，并掺入一定比例的高纯硅粉，最后放入原料合成设备中加热反应，得到可以正常使用的高纯碳化硅原料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112746325 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011507849.X
(22)申请日 2020.12.18
(71)申请人 国宏
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