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一种减少碳化硅晶体包裹物的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种减少碳化硅晶体包裹物的方法.pdf

    本申请公开了一种减少碳化硅晶体包裹物的坩埚结构，包括凸形坩埚(1)、晶体生长原料(2)、籽晶托(3)；凸形坩埚(1)剖视形如“凸”字形，具有圆柱状的底部(11)和圆柱状的上部(12)，原片形顶盖(13)，晶体生长原料(2)基本充满底部(11)；籽晶托(3)的涂覆涂层(31)；涂层材料是钛、钽、钨或其碳化物。还公开一种减少碳化硅晶体中碳包裹物的方法，针对该坩埚结构以实施，包括坯料选用、成型步骤、烧成阶段三个步骤。以及一种碳化硅晶体生长方法，其利用该坩埚结构以实施，包括涂覆和预烧、填装碳化硅生长原料

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112746316 B (45)授权公告日 2022.08.23 (21)申请号 202011511628.X 审查员 王晓燕 (22)申请日 2020.12.18

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