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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成金属材料层；对所述金属材料层进行刻蚀，形成隔离沟槽结构和间隔的金属层；形成第一缓冲氧化层，所述第一缓冲氧化层覆盖所述金属层以及所述隔离沟槽结构的侧壁和底部；形成生长控制层，所述生长控制层覆盖所述第一缓冲氧化层的侧壁；形成填充相邻的所述生长控制层之间区域且覆盖所述第一缓冲氧化层和所述生长控制层的顶部的填充层，所述填充层在所述长控制层表面的沉积速率大于所述填充层在所述第一缓冲氧化层表面的沉积速率，以在位于所述隔离
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112750753 B
(45)授权公告日 2022.06.03
(21)申请号 201911034397.5 CN 102122631 A,2011.07.13
(22)申请日 20
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