三维半导体装置和形成三维半导体装置的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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三维半导体装置和形成三维半导体装置的方法.pdf

提供了一种三维半导体装置和一种形成三维半导体装置的方法。该三维半导体装置可以包括:基底,具有单元区域和延伸区域;字线堆叠件,设置在基底上方,字线堆叠件包括交替堆叠的模制层和字线;垂直沟道结构,在单元区域中竖直穿透字线堆叠件;以及第一延伸贯穿过孔结构,在延伸区域中竖直穿透字线堆叠件。第一延伸贯穿过孔结构可以包括第一过孔塞和围绕第一过孔塞的侧壁的第一过孔衬垫层。第一过孔衬垫层可以包括分别与字线堆叠件的字线水平地设置在同一水平处的第一凹陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750838 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202010636057.6 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请日

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