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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明公开了一种毫米波GaN功率器件非线性建模方法,包括以下步骤,S1:对毫米波GaN功率器件进行设计,设计方式基于神经网络,神经网络其直流神经网络用于导出个层神经元之间的关系式,并存在于VAR1,神经网络其交流神经网络倒出的输入输出的数据转化格式后,放置于S2PMDIF。该毫米波GaN功率器件非线性建模方法,毫米波GaN功率器件建立非线性模型时具备不会因为配件之间的不匹配和精确度较差的问题,从而能够在达到精准的模型构建的同时,保证构建模型的电路简单,并且本发明对初建立的模型进行检验,并对检验的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115758895 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211475809.0
(22)申请日 2022.11.23
(71)申请人 成都锦格电子科技有限公司
地址 6
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