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一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具.pdf

    本发明提供一种晶圆级深腔沉积薄膜图形化的制备方法及其夹具，它包括在夹具上先设置与深腔沉积金属薄膜图形对应的通孔，而后将待加工的晶圆放入到夹具内，而后将夹具溅射设备高真空环境下，再利用磁控溅射，通过氩气轰击靶才，使其金属晶粒沉积于硅片上形成金属膜层，形成表面深腔沉积金属薄膜图形。本发明有效的提高了制备关键工艺参数的控制精度，提高工艺制备的合格率及器件的产能，且实施成本较低，达到提高企业经济效益。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115747736 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211341955.4 B81C 1/00 (2006.01) (22)申请日 2022.10.3

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