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半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体器件.pdf

    本发明揭示了一种能够用作存储器件的半导体器件。存储器件包括多个存储单元，并且各个存储单元包含第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管设置在包含半导体材料的衬底上并具有在衬底中的沟道形成区。第二晶体管具有氧化物半导体层。第一晶体管的栅电极与第二晶体管的源电极和漏电极中的一个彼此电连接。第二晶体管的极低的截止电流允许存储在存储单元中的数据即使在不供电的情况下也能保持相当长的时间。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768455 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110087551.6 H01L 27/11519 (2017.01)

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