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三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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三维存储器及其制作方法.pdf

    本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器包括栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包括多层控制栅结构和多层隔离层，控制栅结构和隔离层沿远离衬底的方向交替层叠设置，栅极堆叠结构中具有贯穿至衬底的沟道结构和共源极，在远离衬底的方向上，多层控制栅结构包括最外侧的顶部选择栅，顶部选择栅的厚度为H1，多层控制栅结构中其余各控制栅结构的厚度为H2，H1＞H2；隔离层包括与顶部选择栅相邻的顶部隔离层，顶部隔离层位于顶部选择栅朝向衬底的一侧，顶部隔离层的厚度为H3，多层隔离层中其余各隔离层的厚度为H4，H3＞H

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768463 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110033287.8 (22)申请日 2021.01.11 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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