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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明提供一种寄生电容过载的检测方法，所述寄生电容过载的检测方法包括：在存储电路中选定节点。获取所述存储电路中所有MOS管的驱动能力值。判断每一所述MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内；若是，则所述MOS管对应的节点的寄生电容合格；若否，则所述MOS管对应的节点的寄生电容过载。因此，本发明提供的所述寄生电容过载的检测方法将所述节点处的寄生电容是否过载，映射为所述节点对应的MOS管的驱动能力值是否在阈值范围内。故本发明不需要对整个存储电路进行仿真，即可检测出每一所述节点处的寄生电容是否过载，大大的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112767992 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110090042.9
(22)申请日 2021.01.22
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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