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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明的基于SRAM实现存储及模拟计算的电路及存储及模拟计算系统,解决了现有技术中一般仅将SRAM应用于运作存储单元,并不能使SRAM作为基础的模拟运算单元,进而使用效率降低的问题。本发明充分利用了SRAM的特性,让SRAM不仅有存的能力,同时又具备了算的能力,通过在每一个单元外接6个开关,赋予其可以进行乘加运算的能力,大大提高了使用效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112767985 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202110054161.9
(22)申请日 2021.01.15
(71)申请人 上海新氦类脑智能科技有限公司
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