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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明公开了一种室温下通过原位合成的MOF‑801@MXene纳米片作为构筑单元从而构建出具有显著增强的渗透性和选择性的MOF@MXene膜。本方法通过带负电的MXene纳米片可以通过静电相互作用从周围锚定Zr金属离子,然后在室温下与配体配位,从而在MXene纳米片上均匀生长出MOF‑801晶体。然后在多孔有机基材表面上将所合成的MOF‑801@MXene纳米片进行真空抽滤制膜。由于MOF‑801晶体可以为H2分子提供更多的传输通道,并对CO2分子具有高吸附能力以阻止其扩散,因此所制备膜显示出优
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115738612 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211136854.3 C01B 32/50 (2017.01)
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