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- 2023-06-06 发布于四川
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一种半导体存储器装置包括：层叠结构；以及沟道结构，其穿过层叠结构，其中，沟道结构包括穿过层叠结构的沟道层和围绕沟道层的存储器层，层叠结构包括接触沟道层的栅极，并且沟道层和栅极形成肖特基结。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112802894 A
(43)申请公布日
2021.05.14
(21)申请号 20201
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