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半导体元件中间体及半导体元件中间体的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体元件中间体及半导体元件中间体的制造方法.pdf

    一种半导体元件中间体的制造方法，其包括下述工序：准备表面具有凹部的基板的准备工序；将上述基板的温度设为250℃以上，通过原子层沉积法，使用包含下述通式(1)所示的化合物的氧化锡前体，向上述凹部填充氧化锡的填充工序。通式(1)中，R1～R4各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112805813 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 201980066019.7 (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限

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