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- 2023-06-06 发布于四川
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本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种用于氢硼聚变靶膜的自支撑薄膜的制备方法，先于衬底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上采用高温工艺制备自支撑薄膜，最后经脱膜处理得到自支撑薄膜产品。采用本发明所述制备方法制备的自支撑薄膜均匀、致密、缺陷少，利于提高后续聚变反应的信号的稳定性，不易产生裂纹和爆膜，能满足氢硼聚变实验对超薄硼膜和微米级厚硼膜的需求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112795922 B
(45)授权公告日 2022.06.28
(21)申请号 201911107008.7 C23C 14/10 (2006.01)
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