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半导体结构的形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有鳍部；在所述鳍部表面形成硅层，所述硅层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁；对所述硅层进行氧化处理，形成栅氧化层，所述栅氧化层覆盖所述鳍部的顶部和侧壁。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，通过在鳍部表面形成一层额外的硅层，使得形成栅氧化层时不需要消耗太多鳍部原有的硅，避免鳍部尺寸损失，从而有利于提高半导体结构的性能。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802740 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20191

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