大功率负氢离子源中H~-离子表面产生及引出过程的数值.docxVIP

大功率负氢离子源中H~-离子表面产生及引出过程的数值 本文介绍了大功率负氢离子源中H~-离子表面产生及引出过程的数值模拟方法及结果。首先介绍了H~-离子的表面生成机制，然后对数值模拟方法进行了详细阐述，包括粒子模拟方法和电磁场模拟方法。最后给出了数值模拟结果及其分析。 一、H~-离子表面生成机制 H~-离子表面生成的主要机制有两种，即极化生成和直接离子化。 （1）极化生成 当高能电子轰击氢分子时，会出现极化现象，使得离子的电荷分布不对称，此时分子会出现偶极矩，这样就会出现一个负荷区域，该区域就是H^-离子的生成区。当坐标为x、y、z的点在H^?生成区内部时，概率为P(x,y,z)，概率密度函数为f(x,y,z)=α(1+cos[k(x?x0)],1+cos[k(y?y0)],1+cos[k(z?z0)])，其中α是一个宽度参数，k是变化频率的控制参数，x0、y0和z0是H^?生成区域的中心。 （2）直接离子化 当高能电子轰击氢分子上的电子时，会产生电离现象，此时产生的离子有可能是H^-离子。当高能的电子与H2分子的一个原子核相撞，很容易形成H^-离 子。 二、数值模拟方法 （1）粒子模拟方法 在该方法中，通过对H^-离子轨迹的模拟来计算H^-离子在大功率负氢离子源中的表面生成及引出过程。该方法的基本思路是将H^-离子看作一个质点，通过计算粒子的运动轨迹来模拟H^-离子在电磁场中的运