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一种MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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一种MOSFET及其制造方法.pdf

    本发明涉及半导体器件技术领域,公开了一种MOSFET及其制造方法，通过将MOSFET的栅极多晶硅层从中间区域引至边缘，然后通过第四电极与栅极金属电连接，而且由于第二栅极多晶硅层的底部设有第三氧化层、第二栅极多晶硅层的周围设有氧化层，能够使第二栅极多晶硅层承受漏极电压，不用开设相应的接口沟槽以及在接口沟槽中设置提供保护作用的氧化层，这样MOSFET在刻蚀时由于第一沟槽至第M沟槽的整体宽度差异小于0.1um.不用担心有颗粒残留在沟槽中。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768531 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110194286.1 (22)申请日 2021.02.19 (71)申请人 无锡沃达科半导体技术有限公司

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