原创力文档- 1
- 0
- 约1.87万字
- 约 15页
- 2023-06-06 发布于四川
- 举报
本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁固定层的磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器(STT‑MRAM)。磁多层膜结构包括：自由层，间隔层，人工反铁磁固定层，铁电层。其中铁电层产生极化电场和电荷转移效应使人工反铁磁固定层反铁磁耦合增强，保证固定层中靠近间隔层的磁性层不进行翻转，实现数据的稳定写入。所述磁性随机存储器，具有隐定性高、功耗低、速度快、抗辐射、非易失性的优点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112767979 A
(43)申请公布日 2021.05.07
(21)申请号 202011586313.1
(22)申请日 2020.12.28
(71)申请人 西安交通大学
地址
文档评论（0）