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制备三维存储器的方法.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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制备三维存储器的方法.pdf

    本申请提供了一种制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底上形成源极牺牲层、位于源极牺牲层上方的叠层结构、以及贯穿叠层结构和源极牺牲层并延伸至衬底中的沟道孔；在沟道孔的内壁上依次形成功能层和非晶硅层；在叠层结构的远离衬底的顶表面形成诱发金属薄膜，使诱发金属薄膜与非晶硅层接触；诱发非晶硅层结晶，以形成结晶硅沟道层；以及去除源极牺牲层以及功能层的邻近于衬底的部分，以部分地暴露衬底和结晶硅沟道层；以及在所暴露的衬底上形成源极连接层，使之与所暴露的结晶硅沟道层接触。由此，可以改善三维存储器的沟道结构的载流

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112786614 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202110302061.3 H01L 27/11582 (2017.01) (22)申请

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