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采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型.pdf

    本发明提供了一种采用SOI衬底的射频晶体管的仿真模型，包括：核心器件，所述核心器件为一晶体管，包括源极、漏极、正栅、以及SOI衬底的背栅；所述核心器件的外围电路包括：栅极电阻、栅极到接触孔的电阻、源极和漏极电阻、栅极到源极的边缘电容、栅极到源极的寄生电容、栅极到漏极的边缘电容、栅极到漏极的寄生电容、埋层氧化物层电容、源端下方的埋层氧化物电容、漏端下面的埋层氧化物电容、埋层氧化物下方的阱区域的分布式电阻、衬底部分的电阻和电容、以及背栅电阻。本发明综合考虑了FDSOI衬底的特点，重新设计了一套更适合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112765922 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011639121.2 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人 中国科学院上海微系统与信息技术

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