磁性隧道结结构及磁性随机存储器.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器,所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层,三自由子层之间配置二个由非磁性金属、其氧化物及/或不完全氧化物形成的垂直各向异性增强层。本申请通过二个垂直各向异性增强层的设置,为自由层各提供两个具有强烈垂直各向异性的界面,从而增加了热稳定性。非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升,以及器件的进一步缩微化。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112802959 A (43)申请公布日 2021.05.14 (21)申请号 20191

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