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基于不定形ZrOx的负电容晶体管.pdfVIP

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  • 2023-06-06 发布于四川
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基于不定形ZrOx的负电容晶体管.pdf

    本发明公开了基于不定形ZrOx的负电容晶体管，包括：顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层和N型Ge平台。其中顶部栅极层、类铁电栅介质层、源漏电极层在N型Ge平台上依次分布，其中顶部栅极采用TaN材料、类铁电栅介质层采用不定形ZrOx材料、源漏电极层采用金属B和金属Ni材料。基于不定形ZrOx的负电容晶体管在1V栅压下实现了45.06mV/decade的亚阈值摆幅和小于60mV的回滞。不定形ZrOx对器件铁电性能的影响可以用氧空位偶极子解释。该设计有助于推动未来低功耗晶体管的发展。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112768527 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202110001652.7 (22)申请日 2021.01.04 (71)申请人 西安电子科技

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